1. Tujuan [kembali]
- Untuk dapat memahami materi CMOS
- Untuk dapat membuat rangkaian menggunakan CMOS
2. Alat dan Bahan [kembali]
A. Alat
- Baterai 12 V
- Resistor 10 K
- P-Mosfet
| Specifications | |
| Resistance (Ohms) | 10K |
| Power (Watts) | 0.25W, 1/4W |
| Tolerance | ±5% |
| Packaging | Bulk |
| Composition | Carbon Film |
| Temperature Coefficient | 350ppm/°C |
| Lead Free Status | Lead Free |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
- Advanced Process Technology ·
- Ultra Low On-Resistance ·
- Dynamic dv/dt Rating ·
- 175°C Operating Temperature ·
- Fast Switching ·
- P-Channel ·
- Fully Avalanche Rated
- Gate
- Drain
- Source
- N-Mosfet
- Drain Current ID=110A@ TC=25℃
- Drain Source Voltage : VDSS= 55V(Min)
- Fast Switching Speed
- Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation
- Gate
- Drain
- Source
- Ground
- Kapasitor
3. Dasar Teori [kembali]
Sirkuit logika yang sangat efektif dapat dibuat dengan membangun a p- saluran dan n- saluran MOSFET pada substrat yang sama seperti yang ditunjukkan pada Gambar 5.43. Perhatikan induksi p- saluran di sebelah kiri dan diinduksi n- saluran di sebelah kanan untuk p- dan n- perangkat saluran, masing-masing. Konfigurasi tersebut disebut sebagai a MOSFET pelengkap pengaturan (CMOS) yang memiliki aplikasi ekstensif dalam desain logika komputer. Impedansi masukan yang relatif tinggi, kecepatan peralihan yang cepat, dan tingkat daya operasi yang lebih rendah dari konfigurasi CMOS telah menghasilkan disiplin baru yang disebut sebagai Desain logika CMOS
4. Percobaan [kembali]
Step 1:SUSUN dan SIAPKAN KOMPONEN
Step 2: RANGKAI KOMPONEN
Step 3: MULAI SIMULASI PADA PROTEUS
Step 4: AMATI RANGKAIAN YANG DIBUAT
- Foto Rangkaian
- Prinsip Kerja
5. Video [kembali]
Rangkaian 1
6. Example [kembali]
Jawaban :
Untuk menggerakkan kapasitansi beban yang diinginkan, kita harus meningkatkan ukuran (lebar) inverter untuk mendapatkan kinerja yang optimal.
2. Apa yang terjadi jika kita menyertakan resistensi pada output dari rangkaian CMOS?
Jawaban :
Menigkat (RC delay)
7. Problem [kembali]
1. Bagaimana cara mengatasi lateral diffusion?
Jawab :
Lateral diffusion dapat diatasi dengan cara memberikan dopan dengan konsntrasi yang
rendah terlebih dahulu dengan membentuk struktur lightly doped drain, kemudian
memberikan konstrasi dopan yang lebih banyak.
2. Apa yang dimaksud dengan oxide encroachment dan apa akibatnya?
Jawab :
Oxide encroachment terjadi ketika lapisan oksida menggerus lapisan aktif. Hal ini
menyebabkan berkurangnya lapisan aktif karena tertutupi lapisan pasif
8. Pilihan Ganda [kembali]
1. 1. Untuk membuat gerbang OR dari jenis CMOS dapat digunakan ?
a. IC 7114
b. IC 7441
c. IC 4017
d. IC 7474
e. IC 4071
2. 2. Untuk membuat gerbang XOR dari jenis CMOS dapat digunakan IC 4030.
a. IC ini terdiri dari 4 buah gerbang XOR yang mempunyai 2 input.
b. IC ini terdiri dari 2 buah gerbang NOR yang mempunyai 2 input.
c. IC ini terdiri dari 2 buah gerbang XOR yang mempunyai 2 input.
d. IC ini terdiri dari 2 buah gerbang XOR yang mempunyai 4 input
e. IC ini terdiri dari 4 buah gerbang OR yang mempunyai 2 input.
9. Download File [kembali]
- Download File HTML klik disini
- Download Rangkaian 1 klik disini
- Download Rangkaian 2 klik disini
- Download Video Rangkaian 1 klik disini
- Download Video Rangkaian 2 klik disini
- Download Data Sheet Resistor 10k klik disini
- Download Data Sheet P-Channel klik disini
- Download Data Sheet N-Channel klik disini
- Download Data Sheet LED klik disini
No comments:
Post a Comment